关于AEMD平台电感耦合等离子体化学气相沉积设备开放通告
各位老师、同学：
为了满足学校广大师生的科研需求，AEMD平台新购置的电感耦合等离子体化学气相沉积设备已完成安装调试，即日起开放运行，各位用户老师、学生可在AEMD预约系统里预约使用，特此公告。
电感耦合等离子体化学气相沉积设备介绍：
用途：用于低温（不高于70℃）及高温（300度）沉积二氧化硅，氮化硅等介质薄膜。
加工能力：6英寸及以下样片
工艺参数：
①SiNx沉积工艺（100%SiH4, N2），
沉积速率：> 8nm/min(也可实现快速沉积)
折射率：~2.00 (1.85-2.1可控)
折射率均匀性：< ± 0.01
片内不均匀性：<±3%
重复性：<±3%
应力：<100MPa
湿法腐蚀速率（BHF 10:1 at 20oC）：<100nm/min
②SiO2沉积工艺（100%SiH4, N2O）
沉积速率：> 8nm/min(也可实现快速沉积)
折射率：~1.46(可控)
折射率均匀性：< ± 0.01
片内不均匀性：<±3%
重复性：<±3%
应力：<250MPa
湿法腐蚀速率（BHF 10:1 at 20oC)）：<160nm/min（<150度）
先进电子材料与器件校级平台
二零一八年十二月六日
