加工设备覆盖光刻（电子束/KrF深紫外/双面光刻）、薄膜沉积（磁控溅射/电子束蒸发/LPCVD）、刻蚀（深硅/离子束/湿法刻蚀）等核心工艺，并配备晶圆键合、激光切割（dicing）、引线键合（WB）及铜镍电镀系统，辅以离子注入、氧化扩散、CMP抛光等设备，形成从纳米级图形加工到晶圆级封装的全流程能力，支持硅基、玻璃、III-V族化合物及有机材料微纳器件制造。
封装工艺覆盖晶圆键合（支持阳极、共晶、热压键合等）、大压力芯片键合机（支持焊球直径40-450μm）、砂轮切片与半导体材料减薄（陶瓷/硅片/金属）、微组装贴片及倒装芯片键合、金线/铝线引线键合等核心环节，同时兼容3D IC封装、光电芯片耦合等特殊工艺。
表征与测试设备可实现在线/离线加工工艺的监控及表征，以及光/电性能表征。主要包含表面形貌量测（AFM、SEM、激光共聚焦显微镜等），薄膜厚度量测（椭偏仪、紫外干涉膜厚仪、台阶仪等），薄膜性能表征（紫外可见分光光度计、薄膜应力仪、高分辨X射线衍射仪、四探针薄膜电阻测量仪、电化学CV掺杂浓度测量仪、表面缺陷分析仪等），及器件与芯片电/光性能测量（半导体参数分析仪、霍尔效应仪、光电测试系统等）。
