| 型号： | uMLA |
|---|---|
| 功能： | 光刻胶直写功能，在基片上直写微米尺度的光刻胶图形；套刻直写功能 ；SU8光刻胶直写功能 |
| 工程师： | 王老师 / (021) 34206126-6005 |
| 设备地点： | 东区光刻ⅢA区 |
| 设备编号： | ELT3MLA01 |
激光直写光刻作为一种无掩模光刻技术，是利用强度可变的激光束对基片表面的抗蚀材料实施变剂量曝光，显影后在抗蚀层表面形成所要求的图形。能够实现高精度加工，不需要制作模板，可以适用于多种不同材料的加工，包括玻璃、金属、硅片、半导体、聚合物等。
可以适用于多种不同材料的加工，包括玻璃、金属 硅片、半导体、聚合物等，广泛应用于微电子、 生物医学、光学和纳米器件等领域，可以用于制备微处理器、传感器、微结构，生物芯片、微流控芯片，MEMS，SU8胶直写加工等。
1.最大样品尺寸不超过五寸。
2.样品最小尺寸1.5cm*1.5cm，过小样品自动聚焦困难，写图时易撞写头！
3.曝光图形距离样品边缘保证0.5cm以上。
4.圆形样品特别注意：保证各个写图位置距离最近样品边缘必须0.5cm以上。
5.若曝光图形阵列：务必保证阵列外围距离样品边缘0.5cm以上。
1.最大样品尺寸不超过五寸。
2.样品最小尺寸1.5cm*1.5cm，过小样品自动聚焦困难，写图时易撞写头！
3.曝光图形距离样品边缘保证0.5cm以上。
4.圆形样品特别注意：保证各个写图位置距离最近样品边缘必须0.5cm以上。
5.若曝光图形阵列：务必保证阵列外围距离样品边缘0.5cm以上。
6.必须取得上机资格认证才能自主上机
