| 型号： | LH2 |
|---|---|
| 功能： | 1.在工艺温度630度左右进行高品质多晶硅沉积（工艺气体为硅烷）； 2；在工艺温度540度左右进行高品质非晶硅沉积 |
| 工程师： | 李老师 / (021) 34206126-6015 |
| 设备地点： | 西区高温炉管区 |
| 设备编号： | WDFSLPF01 |
多晶硅沉积设备主要用于LPCVD方式沉积多晶硅或者非晶硅薄膜， 通过LPCVD方式沉积的多晶硅薄膜具备高品质特点，是微纳加工领域重要的薄膜沉积设备， 尤其在硅基的CMOS工艺中具备重要的作用。
多晶硅沉积设备主要用于LPCVD方式沉积多晶硅或者非晶硅薄膜， 通过LPCVD方式沉积的多晶硅薄膜或者非晶硅薄膜，品质高，工艺温度为600度左右， 厚度可以从30纳米到400纳米左右，薄膜均匀度可以做到3%以内。
多晶硅沉积设备主要用于LPCVD方式沉积多晶硅或者非晶硅薄膜， 通过LPCVD方式沉积的多晶硅薄膜或者非晶硅薄膜，样品尺寸为6英寸以下圆片。
通过LPCVD方式，由硅烷分解生成多晶硅薄膜，沉积与硅衬底之上。
CMOS工艺中多晶硅薄膜沉积。
只有3~6寸硅片（圆片）才可以作业；禁止后道硅片进入。
600度左右。
