| 型号： | ICP180 |
|---|---|
| 功能： | 低温（300℃）氧化硅、氮化硅、非晶硅、氮氧化硅、碳化硅等薄膜沉积 |
| 工程师： | 刘老师 / (021) 34206126-6013 |
| 设备地点： | 西区薄膜II区 |
| 设备编号： | WF2OCVD01 |
利用射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，促进气体系列化学反应，在样品表面形成固态薄膜。主要用于SiOx, SiNx, a Si等低温条件下的薄膜生长。
PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。其工艺原理示意图如图所示。
图为在4英寸LNOI片上沉积500nm非晶硅（a Si）薄膜。
PECVD为高温制程（~400度），不接受耐高温性差的样品（如含光刻胶的样品），不接受带污染的样品。
不可以，设备正常工艺温度为300℃，不能用于耐热性差的样品。
