| 型号： | PDS-2010 |
|---|---|
| 功能： | 沉积Parylene C、D、N、F材料。 |
| 工程师： | 付老师 / (021) 34206126-6010 |
| 设备地点： | 东区薄膜Ⅳ区 |
| 设备编号： | EW1PDSS01 |
满足聚对二甲苯（Parylene）的C、D、N、F不同类型的薄膜材料沉积，沉积厚度500nm-50um。
Parylene N具有较低的的分散因子，适合频率较高的射频领域，1MHZ介电损耗0.0006，Parylene C 是在其苯环上有一个氯原子，这种结构使其对潮气及腐蚀性气体具有极低的渗透率，25℃，50%RH，电阻率6-8X10 16Ω•cm，Parylene F主要应用在高温和防紫外需求。
原料升化：Parylene的二聚体原料在蒸发腔内升温至175℃升华成气态。
裂解：升华后的二聚体气体进入裂解腔，在680℃左右的温度下，分子键被断开，产生活性的Parylene单体。
沉积：这些活性单体被送到室温的真空沉积室里，在工件表面进行聚合沉积，形成均匀、致密、无针孔的薄膜。
在已经制备好的芯片样品表面沉积4微米厚的Parylene C薄膜材料，可以有效防止水汽的进入，延长了芯片的使用寿命。
6英寸以下，干净的硅片、石英、玻璃。碎片需要粘贴在较大的硅片上，一起完成实验。
涉及化学品，高温，需要学习操作规范。
冷凝头没有升温到20摄氏度，禁止破腔！！
理论上是可以的，但均匀性要变差一些。
