| 型号： | Uetch-SyS |
|---|---|
| 功能： | VHF刻蚀SiO2薄膜 |
| 工程师： | 张老师 / (021) 34206126-6020 |
| 设备地点： | 东区薄膜Ⅳ区 |
| 设备编号： | EFM3VHF01 |
VHF主要用于二氧化硅刻蚀。能有效避免由于湿法刻蚀产生的Stiction，同时也避免了由于湿法刻蚀残留水份对Al/Al2O3/Au/Cu/的腐蚀。在MEMS工艺中牺牲层释放及Undercut的制作达到精准可控。
SiO2+2HF2-+2(Alc)H+→SiF4+2H2O+2(Alc)
undercut制作
Penetration
最大8inch，undercut需要提供2-3片样片调试工艺，SiO2厚度大于200nm。
需要在开启设备前，确认尾气处理设备已经开启。
刻蚀速度的调节受开孔率的影响比较显著，首次刻蚀需要采用慢速刻蚀，防止过刻。
