PVA-Tepla微波等离子去胶机(兼容SU-8及PI干法去胶)运行
PVA TePla IoN Wave 10 Gas Plasma System
型号: Ion Wave 10
功能: 1. 可干法去除正性及负性(SU8)光刻胶;
2. 可干法去除聚酰亚胺(PI)光刻胶;
3. 可干法去除有机物;
4. 基片表面等离子改性(02\Ar);
5.表面清洗、表面活化、表面刻蚀与改性。
工程师: 张老师 / (021) 34206126-6029
设备地点: 西区薄膜II区
设备编号: WF2PION01
  • 设备基本信息
  • 设备工作原理
  • 典型使用案例
主要用途

PVA TePla IoN Wave 10是一种先进的等离子体处理设备,主要用于半导体、光电子和精密制造领域的表面清洗、表面活化和改性工艺。该设备利用离子波技术实现材料表面性能的优化,例如提升粘接强度、去除微污染和增强涂层附着力,广泛适用于晶圆制造、微电子封装以及医疗器械加工等高精密领域。

 

工艺/测试能力

1. 可干法去除正性及负性(SU8)光刻胶;

2. 可干法去除聚酰亚胺(PI)光刻胶;

3. 可干法去除有机物;

4. 基片表面等离子改性(02\Ar);

5.拥有O2、Ar、CF4、Ar/H2多种气体;

6.表面清洗、表面活化、表面刻蚀与改性。

 

技术指标
  • 离子束能量:50 eV 至 1200 eV,可调节适应不同工艺需求。
  • 均匀性:离子束均匀性优于±5%(6英寸范围),确保工艺一致性。 刻蚀速率:0.1 至 2 µm/min,高效材料移除能力。
  • 沉积速率:0.1 至 1 µm/min,适用于高质量薄膜制备。
  • 基底尺寸:支持2 至 8英寸晶圆,覆盖多种应用场景。
  • 真空度:10 − 6 至 10 − 4  Torr,确保洁净工艺环境。
  • 气体兼容性:适用于Ar、O 2  ​  、CF 4 、H2 ​  等工艺气体。
  • 温控范围:室温至300°C,支持不同材料需求。

 Ion Wave 10通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术生成高能等离子体,清洁和活化材料表面。高能离子轰击去除污染物,增强表面能,以促进后续键合过程的可靠性和强度。 

 去胶后样品SEM图

样品尺寸小于8英寸

全天即可,使用完请保持机台干净整洁

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常见问题及解答
  • 01
    无法激发等离子体

    设置工艺功率太低

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