| 型号： | LH2 |
|---|---|
| 功能： | 1. 普通高品质氮化硅（Si3N4)薄膜沉积； 2. 高品质低应力氮化硅（Si3N4)薄膜沉积； |
| 工程师： | 李老师 / (021) 34206126-6015 |
| 设备地点： | 西区高温炉管区 |
| 设备编号： | WDFSLPF02 |
设备通过LPCVD的方式，用于高品质氮化硅薄膜沉积，炉管方式生长的氮化硅薄膜具备温度高，薄膜致密，品质高等特点，主要可以沉积两种氮化硅薄膜：
1. 普通高品质氮化硅（Si3N4)薄膜沉积；
2. 高品质低应力氮化硅（Si3N4)薄膜沉积；
设备反应温度为760度左右， 反应压力为0.2torr左右， 生长的氮化硅薄膜从10纳米到400纳米左右， 均匀度3%以内。
可加工的样品为6英寸以内圆片，向下兼容， 主要工艺温度760度， 真空压力0.2torr， 反应气体为氨气和DCS
在760度左右温度下，通过氨气和DCS两种反应气体在腔室内发生化学反应，生成氮化硅薄膜
通过LPCVD方式沉积氮化硅薄膜，作为介质层，广泛应用于各种器件
6寸硅片（圆片）才可以作业；禁止后道硅片进入
不可以，只有整片才能加工
