微波等离子去胶机运行
Microwave Plasma Asher
型号: ION wave10
功能: 1. 干法刻蚀后光刻胶灰化(去胶);
2. 基片表面等离子改性;
3. 涂胶前基片清洗,去除有机物。
工程师: 刘老师 / (021) 34206126-6013
设备地点: 西区薄膜II区
设备编号: WF2PASH01
  • 设备基本信息
  • 设备工作原理
  • 典型使用案例
主要用途

微波等离子体去胶机,主要用于对各类光刻胶进行化学性的干法去除、基片清洗。由于化学性刻蚀的工作方式,可实现对衬底的损伤较低的效果。

 

工艺/测试能力
  • 可以去除各种正性、负性光刻胶;
  • 可以去除各种有机物;
  • 可实现对基片表面改性如亲水性或疏水性的转变等;
  • 去胶速率:0.2~0.4μm/min;
  • 刻蚀方式:化学性刻蚀;

 

技术指标
  • 反应室内部尺寸:直径248 mm,深度245 mm;
  • 兼容8寸及以下样品;气体种类N2、O2;
  • 最大功率:600W ;
  • 微波频率:2.45 GHz ;
  • 最大批处理能力:25片6寸样品;
  • 腔室材料:石英

在石英材料的腔室中,抽真空后通入适量的氧气,在微波电源的高频电磁场激励下,氧气被电离成O2-,O2+,O-,O+,O,臭氧等活泼的等离子体,在高频电场的辅助下可以和基片表面的光刻胶或其他有机材料发生氧化反应,生成CO、CO2、H2O等易挥发的物质,被真空泵抽走,从而实现去胶的目的,其原理如图所示。

 

此为涂布了光刻胶的6寸硅片,为方便观察,用高温胶带进行了标记;

 

 

此为去除光刻胶后的硅片,光刻胶已经被完全去除。

 

不接受SU8胶的去除,不接受已经变性的光刻胶去除,特殊胶的去除需要事先确认;

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常见问题及解答
  • 01
    该设备是否可以去除SU8光刻胶?

    不行,该设备无法用于SU8胶的去除,只能去除普通正性和负性光刻胶。

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