紫外双面光刻机运行
Double-sided lithography System
型号: EVG610
功能: 1、6英寸;以下晶圆及碎片双面光刻图形化
2、图形最小分辨率可至0.8um
3、配合晶圆键合系统提供高精度键合晶圆及芯片对准。
4、可配套EVG-510键合机实现晶圆对准、定位功能。
工程师: 张老师 / (021) 34206126-6029
设备地点: 东区光刻II区(Canon)
设备编号: ELT2DLS01
  • 设备基本信息
  • 设备工作原理
  • 典型使用案例
主要用途

包括晶圆光刻图形化、套刻对准、薄膜图案制作等,支持MEMS、半导体和光电子等领域的研发和生产。

 

工艺/测试能力
  • 微纳器件加工中曝光微米级结构图型,分辨率: 0.8μm 
  • 正面套准精度:±0.5μm ,背面套准精度:±1μm ,支持6英寸以下6、4英寸以及破片

 

技术指标
  • 分辨率: 0.8μm ,正面套准精度:±0.5μm 
  • 背面套准精度:±1μm ,支持6英寸以下6、4英寸以及破片

工作原理是通过控制光强和时间,将掩模版上的图案曝光在旋涂好的光敏材料上,显影后实现将图案转移到基底上  

最小线宽0.8um

 

1、样品需提前与工艺老师确认。
2、样品正面与背面均需要保持平整洁净。
3、材料费按片数量单独计价
4、正性光刻胶按1片/0.5h计算,如厚度超过20um另行计价。
5、SU-8光刻胶厚度超过10um按1片/1h计算。

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常见问题及解答
  • 01
    显示 top vacuum low

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