| 型号： | RTP-600 |
|---|---|
| 功能： | 1.加热温度：RT~1100℃；升温速度：10℃/Sec；降温方式：水冷和气冷，平均30℃/Min； 2. 工作气体： PN2, Ar (适用于常规退火、金属硅化、合金化等）； 3. 基片：6英寸及以下样品 |
| 工程师： | 李老师 / (021) 34206126-6015 |
| 设备地点： | 西区高温炉管区 |
| 设备编号： | WDFJRTP01 |
此设备用于样品的快速热退火工艺，可以实现300~1100度之间的热退火， 可以用于离子注入后的激活工艺，也可以用于各种材料的热退火，损伤修复等工艺。 通过惰性气体防护，有效防止样品被氧化等
可以实现6英寸以及以下样品的热退火， 工艺温度300~1100，可以自主编程控制温度区间， 提供氮气，氩气两路惰性工艺气体
设备具备2种控温模式，低温（800度以下）热电偶控温模式，800度以上红外控温模式， 升温速率10度/秒， 控温精度1%以内
通过腔体上下两排卤素灯泡，可以对样品实现快速加热，并通过氮气或者氩气惰性气体，实现快速退火工艺
离子注入后的离子激活工艺， 以及其他样品的热处理工艺。
前道硅基样品，禁止光刻胶等污染
不可以，1000度以上工艺原则不超过1分钟
