| 型号： | FIJI F200 |
|---|---|
| 功能： | 用于沉积超薄、均匀性好、高保形性的金属薄膜（如Cu、TiN，Ru等），适用于TSV等深沟槽器件 |
| 工程师： | 乌老师 / (021) 34206126-6028 |
| 设备地点： | 东区薄膜Ⅳ区 |
| 设备编号： | EFM4ALD01 |
具有热法和等离子增强法两种沉积模式，主要用于沉积超薄、均匀性好、高保形性的金属薄膜（如Cu、TiN，Ru等）。
可采用ICP电感耦合等离子辅助技术，在低功率（不损坏衬底）下制备高质量金属薄膜，适用于TSV通孔及深沟槽器件的镀膜。
同时，本设备也可以沉积氧化物、氮化物介质薄膜（但这台设备因为考虑到交叉污染等原因主要用于沉积金属）。
原子层沉积是一种特殊的化学气相沉积技术，通过将气相前驱体交替地通入反应室，并在基底表面发生化学吸附和反应，形成原子级别的薄膜。
原子层沉积技术具有以下关键特性：
1. 自限制生长：每次反应只发生在单层原子上，确保薄膜的厚度和组成可控。
2. 优异的三维保型性：能够在复杂形状的基底上均匀沉积薄膜。
3. 大面积均匀性：能够在较大的基底面积上实现均匀的薄膜沉积。
4. 低温生长：适用于在低温下进行薄膜沉积，适用于某些敏感材料的处理。
硅片上用等离子增强原子层沉积工艺制备得到的厚度为40nm的TiN薄膜，其电阻率约80µὩcm，厚度均匀性偏差<3%
禁止粉末样品，样品表面干净，不可带胶沉积
量大可考虑，且需要自己购置源瓶和源材料
如对漏电要求低，本设备也可以沉积氧化铝、氮化铝
