离子束溅射系统

离子束溅射系统运行

Ion Beam Sputtering System, IBD

主要用途

双离子束溅射系统用于溅射沉积Ti、Cr、Ni、Cu、Au等单层或多层薄膜，可做离子束溅射清洗（IBC），离子束溅射沉积（IBSD）。

工艺/测试能力

1.镀膜均匀性与重复性：4英寸衬底均匀性优于±5% ，重复性优于±5% 2.2个靶位（4inch），2套离子源　３，离子束溅射清洗模式IBC，离子束溅射沉积模式　ＩＢＳＤ

技术指标

1.极限真空：2*10-4 Pa 2.基片尺寸：支持4英寸厚度在4毫米以下基片３，沉积薄膜均匀性±５%，薄膜厚度测量分辨率０.２ｎｍ，薄膜生长速率测量分辨率０.２ｎｍ／ｓ

离子束溅射(IBS)，也称为离子束沉积(IBD)，是一种薄膜沉积工艺，使用离子源，将靶材（金属或电介质）沉积或溅射到基片上，以形成金属或电介质膜。因为离子束是等能的（离子具有相等的能量），且高度准直，所以与其他PVD（物理气相沉积）技术相比，其能够精确地控制厚度，并沉积非常致密的高质量薄膜。

双面抛光的石英表面，溅射不同厚度金膜之后表面粗糙度AFM成像效果对比

图1 溅射之前石英表面粗糙度原子力显微镜成像

图2 在石英表面溅射50 nm金之后表面粗糙度测量

图3 在石英表面溅射90 nm金之后表面粗糙度测量

结论：在双抛石英表面不同厚度金膜的溅射效果表明，离子束溅射系统在正常厚度的金属成膜实验中，几乎不会导致表面粗糙度的明显变化。

４英寸以下厚度在4毫米以下衬底，均匀性要求不高于±５%。可以接受磁性材料溅射。备注：1. 最低4小时起算；2. 贵金属材料费另计：Au40元/10nm,Pd 30元/10nm, Pt 40nm/10nm；3.不做超过300纳米厚膜。

样品4英寸，最低4小时起算，贵金属材料费另计。具体操作见操作手册

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