| 型号： | MA/BA6 |
|---|---|
| 功能： | 1. 微纳结构与器件图形光刻； 2. 双面对准光刻。 |
| 工程师： | 王老师 / (021) 34206126-6005 |
| 设备地点： | 西区光刻I区 |
| 设备编号： | WPHSMAL01 |
微纳器件中加工微米级结构图形。通过将设计好的电路图案转移到光刻胶上，再经过刻蚀等工艺将其变为实际的电路图案。
微纳器件加工中曝光微米级结构图形，分辨率: 0.8μm ，正面套准精度：±0.5μm ，背面套准精度：±1μm ，支持6、4、3英寸以下及破片。
分辨率: 0.8μm ，正面套准精度：±0.5μm ，背面套准精度：±1μm ，支持6、4、3英寸以下及破片。
工作原理是通过控制光强和时间，将掩模版上的图案曝光在旋涂好的光敏材料上，显影后实现将图案转移到基底上。
MEMS工艺加工，先进封装，微流控，光学器件制造，RDL布线和基本研究开发等。
1.支持6“以下晶圆及碎片，样品正面与背面均需要保持平整洁净，全套工艺含匀胶、热板、显影及普通显微镜观察。
2.特殊光刻胶费用另计。
3. 厚胶工艺另计。
4. 不含基片与掩膜版。
5.掩模版尺寸要求： 支 4", 5" 7" 掩模版。
1.支持6“以下晶圆及碎片，样品正面与背面均需要保持平整洁净，全套工艺含匀胶、热板、显影及普通显微镜观察。
2.特殊光刻胶费用另计。
3. 厚胶工艺另计。
4. 不含基片与掩膜版。
5.掩模版尺寸要求： 支持4", 5" 7" 掩模版 6.必须取得上机资格认证才能自主上机。
请及时清洁片子背面
