| 型号： | MA6/BA6 |
|---|---|
| 功能： | 1. 基片：硅，玻璃等； 2. 微纳结构与器件图形光刻； 3. 双面对准光刻。 |
| 工程师： | 张老师 / (021) 34206126-6029 |
| 设备地点： | 西区光刻I区 |
| 设备编号： | EPHSMAL01 |
包括晶圆光刻图形化、套刻对准、薄膜图案制作等，支持MEMS、半导体和光电子等领域的研发和生产。
微纳器件加工中曝光微米级结构图型，分辨率: 0.8μm ，正面套准精度：±0.5μm ，背面套准精度：±1μm ，支持6英寸以下6、4英寸以及破片
工作原理是通过控制光强和时间，将掩模版上的图案曝光在旋涂好的光敏材料上，显影后实现将图案转移到基底上
最小线宽1um
半导体标准硅片或玻璃片。
4"掩模版。
3"样片。
样品≤6“，干燥固体，开启灯箱电源需预热10min，开启汞灯需预热10min，使用完请保持机台干净整洁
需要更换汞灯
