超高真空溅射机运行
Ultra High Vacuum Sputtering System
型号: MPS-3000-HC5
功能: 1. 溅射沉积各类金属薄膜;
2. 磁性材料溅射需与平台联系确认。
工程师: 毛老师 / (021) 34206126-6009
设备地点: 西区薄膜IB区
设备编号: EMCUUVS01
  • 设备基本信息
  • 设备工作原理
  • 典型使用案例
主要用途

超高真空溅射溅射机沉积Pd, Ti, Zr, Ta, Al 等纳米级单层或多层纳米厚度薄膜(通常低于50纳米)

 

工艺/测试能力
  • 1.膜厚: 几nm~100nm;溅射速率:2-4nm/min
  • 2.薄膜均匀性与重复性:3英寸衬底均匀性优于±2 % ,重复性优于±2%
  • 3.靶材尺寸:2英寸;4个靶位;1RF源,2DC源

 

技术指标
  • 1.极限真空:优于1×10-6 Pa.
  • 2.基片尺寸:3英寸基片与破片
  • 3.DC 0-200w RF 0-250w
  • 4.常规工艺 DC 5-100w本底真空
  • 5.0E-5Pa 工作气压 0.107Pa 氩气流量 17.8sccm

溅射镀膜的原理是稀薄气体在异常辉光放电产生的等离子体在电场的作用下,对阴极靶材表面进行轰击,把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来,被溅射出来的粒子带有一定的动能,沿一定的方向射向基体表面,在基体表面形成镀层。超高真空的工作环境可以减小金属等材料的蒸发温度,同时增加溅射速度。 

1. 溅射1800秒之后,表面粗糙度0.90nm

 

 

2. 溅射5200秒之后,表面粗糙度1.60nm

 

 

结论:溅射材料是氮氧化锆薄膜。随着溅射时间增加,薄膜厚度逐渐增加,小晶粒会聚合成大晶粒,这一过程会增加表面粗糙度。此外,溅射产生的粒子可以从多个方向沉积到基底表面,可能导致不对称生长,随着溅射时间的增加,不对称晶体生长会导致薄膜表面粗糙度逐渐增加

1,需要成为平台用户,并且提交预约加工申请,批准以后才能进行加工,实验.

2,禁止使用的材料:高湿度,高温变性的光刻胶样品。

3,允许使用的样品:表面洁净、尺寸≤ 3英寸,不接受有胶沉积薄膜。不接受氧气氛围反应溅射。

样品3英寸,不接受有胶沉积薄膜,不接受氧气氛围反应溅射,费用最低0.5小时起算。具体操作见操作手册。

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常见问题及解答
  • 01
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