| 型号： | PlasmaPro 100 ICPCVD180 |
|---|---|
| 功能： | 样品尺寸不大于6英寸，低温沉积二氧化硅，氮化硅薄膜 |
| 工程师： | 付老师 / (021) 34206126-6010 |
| 设备地点： | 西区薄膜II区 |
| 设备编号： | WF2PCVD01 |
低温沉积二氧化硅，氮化硅薄膜，满足剥离工艺的需求。高温沉积高质量的氮化硅，氧化硅，氮氧化硅以及非晶硅薄膜
满足沉积10微米以下的二氧化硅薄膜的需求，满足沉积5微米以下的氮化硅薄膜的需求。可以制备10Mpa以下的超低应力介质薄膜。
高纯氮气或笑气单独自上进入反应腔，被交变电场激励。硅烷在样品表面附近进入腔内，与氮离子反应，生成氮化硅薄膜。背冷氦气由基板上的气孔通入，对基板上的衬底进行散热和温控。衬底被石英压环紧压，防止氦气漏入腔体，对工艺有影响。由于等离子体远离衬底，沉积的薄膜表面损伤会大大减少。这种间接ICP-PECVD的构造虽然等离子密度很高，但基板上的离子能量很低，生成的氮化硅薄膜表面钝化质量高，热稳定性好。
低温制备二氧化硅超厚膜。
沉积温度65℃制备厚度15.4微米，超厚二氧化硅薄膜，薄膜无开裂，无形变，无孔洞，有晶向。
样品尺寸不大于6英寸，低温沉积二氧化硅，氮化硅薄膜
涉及特气，电离辐射，注意操作规范。
及时联系工程师查找记录，确定已完成的的时间，争取让实验正常完成
