| 型号： | LKJ-ID-150 |
|---|---|
| 功能： | 1. Al、Ni、Cr、Ti等金属薄膜RIE刻蚀； 2. 多晶硅刻蚀； 3. III-V族半导体刻蚀。 |
| 工程师： | 毛老师 / (021) 34206126-6009 |
| 设备地点： | 西区薄膜IA区 |
| 设备编号： | EMCAIBE01 |
本设备是利用低能量平行Ar＋离子束，对基片表面进行刻蚀。它采用纯物理的刻蚀原理，分辨率、陡直性好。它可以对所有材料进行刻蚀，例如，金属，合金，氧化物，化合物等。
１，刻蚀均匀性与重复性：4英寸衬底均匀性优于±5% ，重复性优于±5%
２，可进行离子束清洗及材料表面终极抛光
当定向高能Ar+离子向固体表面撞击时,能量从入射离子转移到固体表面原子上，如果固体表面原子间结合能低于入射离子能量时，固体表面原子就会被移开或从表面上被除掉。表面上未被掩膜覆盖部分的材料被去除，从而达到选择刻蚀的目的。
1, 使用离子束刻蚀光波导结构前（上）后（下）对比照
2, 使用离子束刻蚀系统刻蚀用于制作传感器件的镀金石英片，平均刻蚀速度4nm/min，中间与边缘非均匀性约5%.满足实验需求
４英寸以下厚度在4毫米以下衬底，均匀性要求不高±５%，无衬底温度升高限制样品。
样品4英寸，只有氩气干法刻蚀，没有其他化学反应气体。费用最低0.5小时起算，具体操作见操作手册。
阴极灯丝断了，重新更换新的
