| 型号： | EBPG 5200 |
|---|---|
| 功能： | 8英寸及以下基片纳米级结构直写光刻 |
| 工程师： | 徐老师 / (021) 34206126-6018 |
| 设备地点： | 西区光刻I区 |
| 设备编号： | WPHVEBL01 |
微纳器件加工中曝光纳米级结构图型，可用于各种纳米结构及器件、光刻掩膜版以及纳米压印模板等的加工.
电子束光刻技术的原理基于电子与物质的相互作用。利用各级电磁透镜对来自电子源的电子束进行偏转聚焦，并通过束闸控制电子束的通断，达到在wafer上扫描出图形的目的。
LNO调制器
sub-100 nm二维光栅
材料类型： 半导体标准硅片，能真空环境下使用，非磁性材料：
Si、GaAs、GaN、GaP,镀金属玻璃
基片尺寸： 2",3",4",Φ125mm, Φ150mm, Φ200mm
厚度：最大0.675mm
非标准基片尺寸应在10mm*10mm以上
掩模版（铬版尺寸）： 3",4",5",6",7"
厚度： 最大0.09"@ 5"版
最大0.25"@ 6"版
直写图形面积： 最大 ~210mm*210mm
基片平坦度： 最大 +/- 30um peak to peak (无对准标记)
最大 +/- 50um peak to peak（带对准标记）
（非标准片，如果厚度特殊，需要另准备3块相同厚度的样品做高度参考）
PMMA, CSAR62. （HSQ，ZEP可自带）
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