| 型号： | T550D |
|---|---|
| 功能： | 满足常温条件下沉积高质量的金膜、银膜以及MgF2、WO3、ZnS等低熔点化合物薄膜。 |
| 工程师： | 付老师 / (021) 34206126-6010 |
| 设备地点： | 东区薄膜Ⅳ区 |
| 设备编号： | EFM3RHE01 |
采用电子加热的方式熔化待蒸镀材料，满足衬底在常温条件下沉积高质量的金膜、银膜以及MgF2、WO3、ZnS等低熔点化合物薄膜。
通过电阳加热的方式，将高熔点的金属(如钨、钼、钽等)制成基发源，通过大电流通过基发源产生的焦耳热，对慕发材料讲行直接加热蒸发，或者在坩埚中进行间接加热基发，使材料在基体表面形成薄膜。
电阻加热蒸镀设备沉积的100nm的金膜，消除了放电飞溅，金膜质量更高
1.沉积薄膜的厚度不超过500nm
2.一次性最多只能沉积两种薄膜
1.钨舟容积小，沉积薄膜厚度受限。
2.有效功率不如电子束蒸发，蒸镀高熔点材料更困难。
电子加热不会有电子的积累引起物料飞溅，影响镀膜质量
电子束加热的材料需要有导电性，如果是绝缘材料，电荷无法导走，不能继续工作
