| 型号： | SI 500 |
|---|---|
| 功能： | 该设备用于化合物半导体材料（如GaAs系列、InP系列、GaN系等）的材料的刻蚀。 |
| 工程师： | 刘老师 / (021) 34206126-6013 |
| 设备地点： | 东区化合物半导体区 |
| 设备编号： | ECS0CSE01 |
主要用于刻蚀各种化合物半导体材料，广泛的应用于通信、光通信、射频器件等器件的制造加工。
最大支持八英寸基片，可以向下兼容各种小片及破片。
GaAs系刻蚀速率>400nm/min；88-92度垂直；GaN可以实现刻蚀速率控制，1-5nm/min; InP刻蚀速率>300nm/min, 88-92度垂直性。
ICP-RIE(电感耦合等离子体-反应离子刻蚀）是将ICP与反应离子刻蚀（RIE）技术相结合的先进技术，旨在提高刻蚀速率、高选择性和低损伤刻蚀。由于等离子体可以保持在低压下，因此还提供了出色的轮廓控制。
首先，ICPRIE系统引入特定的刻蚀气体，然后将射频电源（通常是13.56MHz）引入一个导体线圈，这个线圈通常位于等离子反应室顶部，和反应室的气体分隔开来。当射频电源通过导体线圈时，会在导体周围产生震荡的电磁场。这个震荡的电磁场能量通过感应耦合的方式传递给反应室中的气体，导致气体分子中的电子被激发并从原子中解离出来，形成自由电子和正离子。这些自由电子在电磁场中继续获得能量，并且与更多的气体分子碰撞，导致更多的电子被解离，形成高密度的等离子体。
AlGaAs / GaAs quantum dots
不接受大于8英寸样品，不接受带污染的样品；
可以使用光刻胶（正胶和负胶）、二氧化硅、金属等各种掩膜。
