| 型号： | NLD570 |
|---|---|
| 功能： | 干法刻蚀设备，主要用于高深宽比石英材料刻蚀，铌酸锂晶体刻蚀等。 |
| 工程师： | 刘老师 / (021) 34206126-6013 |
| 设备地点： | 东区薄膜Ⅳ区 |
| 设备编号： | EFM4HAD01 |
光学器件（光波导、放大器、光开关等等）、凹凸型微透镜等器件的刻蚀工艺加工。
对于石英刻蚀，可以达到3:1深宽比（@30um 孔径），对PR选择比>1.5:1；铌酸锂刻蚀，>3:1深宽比（@1um线宽），Cr或Ni选择比>3:1.
设备支持8英寸基片，向下兼容各种尺寸小片及破片；对于石英和铌酸锂刻蚀，片内均匀性<5%，片间均匀性<5%.
NLD(neutral loop discharge，磁中性环路放电)较ICP而言，可在真空腔内形成高频电场，并由此产生等离子体。通过改变电流大小可以控制等离子体的直径及密度，所以具有高刻蚀速率、高均匀性、高等离子体密度及低压放电等优点。
图为使用该设备对石英材料的深刻蚀
设备最大支持八英寸，不接受带有污染性的样品，请提前咨询沟通好工艺再预约。
可以使用各种掩膜，包括光刻胶（正胶、负胶包括SU8等）金属掩膜如Cr、Ni等。
