| 型号： | C200 |
|---|---|
| 功能： | 1. Al、Mo、Cr、Ti等金属薄膜刻蚀； 2. 有机物薄膜刻蚀； 3. 其他薄膜材料刻蚀。 |
| 工程师： | 刘老师 / (021) 34206126-6013 |
| 设备地点： | 东区薄膜Ⅳ区 |
| 设备编号： | EFM4RIM01 |
该设备主要用于金属、金属氧化物薄膜材料、各种有机物材料的微纳米结构刻蚀。
可以刻蚀Al、Cr、Mo等金属的各向异性刻蚀。刻蚀速率高，且设备配备终点检测，可以实现工艺的自动终止。
设备为八英寸设计，可向下兼容6、5、4和3寸及各种破片的刻蚀。设备配备了Cl2、BCl3、HBr、SF6、CF4、CHF3、Ar、N2、O2等气体。
ICP-RIE(电感耦合等离子体-反应离子刻蚀）是将ICP与反应离子刻蚀（RIE）技术相结合的先进技术，旨在提高刻蚀速率、高选择性和低损伤刻蚀。由于等离子体可以保持在低压下，因此还提供了出色的轮廓控制。
首先，ICPRIE系统引入特定的刻蚀气体，然后将射频电源（通常是13.56MHz）引入一个导体线圈，这个线圈通常位于等离子反应室顶部，和反应室的气体分隔开来。当射频电源通过导体线圈时，会在导体周围产生震荡的电磁场。这个震荡的电磁场能量通过感应耦合的方式传递给反应室中的气体，导致气体分子中的电子被激发并从原子中解离出来，形成自由电子和正离子。这些自由电子在电磁场中继续获得能量，并且与更多的气体分子碰撞，导致更多的电子被解离，形成高密度的等离子体。
图为Mo薄膜的干法刻蚀SEM照片。
该设备主要刻蚀金属薄膜和各种有机物薄膜材料等样品，不接受高污染样品（如含Pb的各种材料，SiC等）刻蚀，不接受大于8英寸样品；
该设备可接受的掩膜材料有普通光刻胶，SiO2或SiNx，a-Si等各种硬掩模材料。
