| 型号： | C200 |
|---|---|
| 功能： | 1.刻蚀氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介质薄膜； 2. 刻蚀碳化硅薄膜； 3. 石英刻蚀。 |
| 工程师： | 刘老师 / (021) 34206126-6013 |
| 设备地点： | 东区薄膜Ⅲ区 |
| 设备编号： | EFM3RID01 |
主要用于以下材料的刻蚀：1.氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介质薄膜； 2. SiC薄膜； 3. 石英等
对于二氧化硅或氮化硅的刻蚀速率大于200nm/min，与光刻胶的选择比约为2：1， 刻蚀侧壁的角度大于85度；片内均匀性低于5%；
机台为8英寸，ICP功率1500w，偏压功率500w，刻蚀气体为CHF3、SF6、CF4、Ar、O2、N2等。
ICP-RIE(电感耦合等离子体-反应离子刻蚀）是将ICP与反应离子刻蚀（RIE）技术相结合的先进技术，旨在提高刻蚀速率、高选择性和低损伤刻蚀。由于等离子体可以保持在低压下，因此还提供了出色的轮廓控制。
首先，ICPRIE系统引入特定的刻蚀气体，然后将射频电源（通常是13.56MHz）引入一个导体线圈，这个线圈通常位于等离子反应室顶部，和反应室的气体分隔开来。当射频电源通过导体线圈时，会在导体周围产生震荡的电磁场。这个震荡的电磁场能量通过感应耦合的方式传递给反应室中的气体，导致气体分子中的电子被激发并从原子中解离出来，形成自由电子和正离子。这些自由电子在电磁场中继续获得能量，并且与更多的气体分子碰撞，导致更多的电子被解离，形成高密度的等离子体。
图为用于绝缘功能的SiO2的各向异性刻蚀。
不接受金属掩膜样品刻蚀，不接受大于8英寸样品，不接受带污染的样品；
该设备接受各种光刻胶、有机材料等作为掩膜。
