碳材料生长沉积系统运行
Carbon Nanotube and Graphene Growth System
型号: EasyTube® 3000
功能: 热壁管式CVD纳米材料生长,可用于4寸及以下基底的碳纳米管和石墨烯薄膜研究和生产。
工程师: 徐老师 / (021) 34206126-6030 / lipingxu@1
设备地点: 东区封装II区
设备编号: EPK2CGD01
  • 设备基本信息
  • 设备工作原理
主要用途

热壁管式CVD纳米材料生长,可用于4寸及以下基底的碳纳米管和石墨烯薄膜研究和生产。适用于各种形状样品, 包括片状, 卷状, 三维立体多孔材料等等;可实现低压和常压工艺。

 

工艺/测试能力

  • 1、垂直多壁碳纳米管阵列工艺:可在硅衬底上使用Fe作催化剂制备生长,碳纳米管的长度>1 毫米,直径小于20纳米,高度均匀性+/-5%以内;
  • 2、单层石墨烯工艺指标:可在边长100毫米的铜箔上生长单层石墨烯,覆盖率>90%,单层率>90%;
  • 3、多层石墨烯工艺指标:可在边长100毫米的镍基样品和铜箔上生长多层石墨烯,覆盖率>90%。

 

技术指标

1、4寸及以下样品;

2、基本真空小于50 mTorr;

3、最高温度1100度;恒温区控温均匀性好于+/- 0.5℃;

4、样品覆盖率大于90%;

在高温下,碳源气体(如甲烷)分解,碳原子在金属催化剂(如镍、铜)表面沉积并自组装成碳纳米管(催化剂颗粒引导)或石墨烯(表面催化成膜)。
请提前沟通,保证催化有效性。
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常见问题及解答
  • 01
    碳纳米管的催化剂是什么?
    标准工艺使用Fe做催化剂。
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