| 型号： | AM222-TPPP |
|---|---|
| 功能： | 可实现高质量压电薄膜AlN和AlScN，和金属Mo的沉积，并现实薄膜的超平整修整工艺。 |
| 工程师： | 乌老师 / (021) 34206126-6028 |
| 设备地点： | 东区薄膜Ⅳ区 |
| 设备编号： | EFM4HVM01 |
该设备是一台高度集成的多腔室磁控溅射设备，专为研发和制备高性能的微电子/声学器件（如BAW滤波器、SAW器件、MEMS传感器等）而设计。共有4个工艺腔室，包含AlN薄膜溅射腔室、AlScN薄膜溅射腔室、金属Mo溅射腔室，以及对薄膜进行离子束精细磨平修整的腔室。设备的核心用途是制备以氮化铝（AlN） 和钪掺杂氮化铝（AlScN） 为关键功能材料的压电薄膜器件。因溅射沉积的薄膜表面可能不够平整，粗糙的表面会严重损害高频器件的性能（如增加损耗），离子束修平腔室可以将其磨得极其平整。
可实现压电薄膜AlN和AlScN和金属Mo的沉积，并现实薄膜的离子束精细磨平修整工艺。工艺可保证薄膜晶体结构高度有序，AlN择优取向为（002）晶向，AlScN择优取向为（002）晶向，Mo择优取向为（100）晶向，薄膜晶体缺陷和应力小，非常适合SAW、F-bar等压电表面声波器件的制作。
1.基底需是完整晶圆，尺寸为4、6、8寸；
2.腔室真空度 5X10E-7 torr；
3.经过修平后的8寸片厚度均匀性（1 sigma/mean）： a)1u AlN均匀性 <0.1% , b)500nm AlSc(30%)N均匀性 <0.1% c)300nm Mo均匀性 <0.7%；
4.薄膜晶体结构高度有序，AlN和AlScN择优取向为（002）晶向，Mo择优取向为（100）晶向；
5.经过修平后的晶体质量： a)AlN XRD摇摆曲线FWHM <1.5度 b)AlSc(30%)N XRD摇摆曲线FWHM<1.7度 c)Mo XRD摇摆曲线FWHM<2度。
高真空磁控溅射工作原理：
磁控溅射是一种利用磁场和电场共同作用，使靶材（如AlSc合金）在等离子体中被轰击，溅射出原子或分子，并在基片上沉积成薄膜的技术。
Trimming修整工作原理：
1. 晶圆以恒定速度移动，功率根据厚度或频率均匀性图进行调整。
- 晶圆在修整过程中以恒定速度移动，同时根据预先测量的厚度或频率均匀性图动态调整功率。
2. 为了调整从晶圆上去除的材料量，离子源功率会发生变化。
- 通过改变离子源功率来精确控制材料去除量。直流离子源在所有功率下都非常稳定，并且允许在毫秒级时间内快速调整功率。
- 当离子源扫描晶圆时，根据已下载到修整工具软件中的厚度图调整材料去除量。
3. 由于晶圆以恒定速度移动，AMS（先进修整系统）采用了一种简单且稳健的晶圆扫描机制。
- 低成本和简单的维护。
- 正常运行时间长。
4. 最小刻蚀速率为零，无需沉积额外材料，不会导致器件性能退化，尤其对声表面波（SAW）频率修整非常重要。
- 修整过程中最小刻蚀速率可以为零，这意味着不需要在晶圆上沉积额外的材料，从而避免器件性能退化。这对于声表面波（SAW）器件的频率修整尤为重要。
以下测量数据是该设备安装调试完成后，实际加工的8寸片在AEMD平台测试的结果：
1.为保证最优效果，基底硅推荐选用prime规格（平台可付费领取）。
2.做AlN、AlScN和Mo沉积时，Si基底不可用N型和低阻Si（< 5 Ω-cm），可能会破坏沉积效果。
3.本设备为大型多腔集成设备，为达到最好的效果（厚度均匀性、晶向等）推荐选择全套工艺，包含对基底的处理和修平。
4.如果仅想对基底做单纯的沉积，工艺条件中已单独列出（除了30% AlScN不提供纯沉积工艺），AlN和Mo均提供单纯沉积服务，但可能需要凑几批预约一同进行，时间上可能不及时，望理解。
5.所有的腔室（沉积和修平）都不能接受破片，目前可沉积的尺寸为8寸，6寸，4寸。
6.所有的腔室（沉积和修平）收费统一按片/次收取，不论片子大小。
7.修平腔室的厚度偏差Total Thickness Variation (TTV=Max-Min)最大为30nm，超过该范围可能需要多次修平和多次收费。
8.目前平台提供的Sc掺杂为30%，如果有20% Sc掺杂需求请联系工程师。
9.大于10片以上与工程师联系，可以优惠。
不可以，仅能加工完整的晶圆
