| 型号： | HSE200 |
|---|---|
| 功能： | 1. BOSH工艺或非BOSH工艺深硅刻蚀； 2. TSV（硅通孔）工艺硅深孔刻蚀； 3. SOI表面硅结构刻蚀。 |
| 工程师： | 刘老师 / (021) 34206126-6013 |
| 设备地点： | 东区薄膜Ⅳ区 |
| 设备编号： | EFM4DSE01 |
主要用于深硅刻蚀，同时兼具Bosch/Non-Bosch工艺，实现多工艺领域覆盖。该机台针对Bosch循环工艺方式采用专业先进的快速响应硬件配置及软件流程控制，结合先进的工艺技术，可实现高深宽比下良好的工艺性能，满足各种工艺需求。
最大刻蚀速率约6um/min，与光刻胶选择比高达50:1，深宽比>30:1，侧壁粗糙度<150nm。
机台为六英寸设计，可向下兼容4、3英寸和各种不规则硅片，破片等，也可用于玻璃基底的SOG片等。
Bosch工艺是指在集成电路制造中为了阻止或减弱侧向刻蚀，设法在刻蚀的侧向边壁沉积一层刻蚀薄膜的工艺。因最早由Robert Bosch提出，亦被称为Bosch工艺。
图为应用于MEMS器件制作中的深硅刻蚀工艺。
该设备以深硅刻蚀工艺为主，不接受大于6英寸样品；如果样品为非6寸片或碎片，需要用粘片方式刻蚀；
可接受的掩膜材料为光刻胶，二氧化硅、氮化硅等硬掩模，不接受金属掩膜。
