| 型号： | Xactix® e1 |
|---|---|
| 功能： | XeF₂（二氟化氙）刻蚀硅是一种基于气相化学反应的干法刻蚀技术，具有高选择性、温和刻蚀条件，对金属及二氧化硅、氮化硅选择比高的特点。 |
| 工程师： | 张老师 / (021) 34206126-6020 |
| 设备地点： | 东区薄膜Ⅳ区 |
| 设备编号： | EFM4XEF01 |
主要用于硅的各向同性刻蚀。通过如下反应式可以有效实现硅牺牲层刻蚀。Si+2XeF2 →SiF4↑+2Xe↑ 。
1）undercut制作: 2-20um，20-100um， >1.3mm；
2）开孔：0.25-10um ；
3）薄膜释放：极限情况可以释放>10nm厚的薄膜
基片尺寸：4inch； 屏蔽层选择二氧化硅、氮化硅、铝、二氧化铝具有高的选择比>1000:1; 屏蔽层选择光刻胶选择比>10:1
XeF₂是一种强氧化剂，常温下为固体，加热升华后形成气态。其刻蚀硅的反应属于纯化学刻蚀，无需等离子体辅助，主要通过以下化学反应实现：Si+2XeF2→SiF4↑+2Xe↑ 刻蚀产物（SiF₄和 Xe）均为气体，易挥发排出。
反应为各向同性刻蚀（横向和纵向刻蚀速率相近），刻蚀轮廓呈圆弧状或半球形
提供刻蚀的开口尺寸及屏蔽层材料及基底材料。
XeF2作为有毒有害物资，需要熟悉气体属性
表面二氧化硅或光刻胶的阻挡造成无法刻蚀
