配备33 个功率 3KW 的卤素灯泡，采用双层与侧边方式加热，须实现多区灯管温控系统以提供较好的温度均匀性。配备实时闭回路温度控制，每支灯管皆具加热电流侦测功能以监控制程状态。 800℃以下使用 K 型热电偶，800℃~1250℃用红外高温计监测温度。核心原理是通过快速升温和短时间高温处理，在尽可能减少杂质扩散的前提下实现材料性能的优化。

配置三类气体实现不同工艺需求。

1.惰性气氛（N₂）：防止晶圆表面氧化，适用于单纯退火或激活掺杂。离子注入过程中，高能离子轰击半导体晶格，导致原子位移、晶格畸变甚至非晶化。RTA 通过加热使原子获得足够动能，重新排列至晶格正常位置，恢复晶体完整性。 掺杂原子（如硼、磷、砷等）需替代半导体晶格中的原子（如硅原子）才能有效提供载流子（空穴或电子）。RTA 的高温环境促使掺杂原子与晶格原子交换位置，实现电学激活。传统长时间退火会导致掺杂原子过度扩散，影响器件尺寸精度（尤其是纳米级器件）。RTA 通过快速升温至高温（1000~1200℃）并极短停留时间（秒级或毫秒级），显著抑制扩散，确保器件特征尺寸的准确性。

2.氧化气氛（O₂）：在退火同时形成薄氧化层（如源漏退火后形成氧化层保护）。

3.还原性气氛（H₂）：减少金属杂质污染，改善界面特性。是通过还原反应、氢终止层形成和界面钝化实现金属杂质清除与界面特性优化。其效果受温度、H₂浓度、退火时间等参数的协同调控。

1.在多晶硅离子注入后的 RTA 中，氮气与氧气按 4000:1 的流量比混合通入，可显著改善电阻均匀性。实验表明，传统氮气退火后多晶硅电阻分布范围为 150-200 Ω/□，而混合气氛下电阻偏差缩小至 ±5% 以内。 机制：氮气保护硅表面，氧气通过轻微氧化调控多晶硅晶粒边界，抑制掺杂原子的异常扩散。

2.在功率二极管的制造中，干法刻蚀会引入界面缺陷。通过氮气环境下 275℃、3 分钟的 RTA 处理，可有效消除刻蚀损伤，使击穿电压实现有效提升。 机制：氮气作为惰性气体，防止高温下材料氧化，同时为晶格原子提供能量进行重排，修复离子束轰击导致的非晶化区域。

3.在 NiSi 金属硅化物工艺中，氮气气氛下 400-450℃退火 1 分钟，可促使镍与硅反应生成低电阻硅化物，同时避免金属氧化。该工艺广泛应用于 FinFET 栅极和互连层，可有效降低接触电阻。 机制：氮气隔绝氧气，防止金属氧化层形成，确保硅化物反应的可控性。