| 型号： | AH3 |
|---|---|
| 功能： | 磷扩散高温炉管用于磷掺杂工艺 |
| 工程师： | 李老师 / (021) 34206126-6015 |
| 设备地点： | 西区高温炉管区 |
| 设备编号： | WDFSOXD02 |
磷扩散高温炉管用于磷掺杂工艺
6,4,3寸硅片的磷扩散工艺，工艺温度1100度以下
常压掺磷扩散工艺炉管，可加工样品尺寸为3,4，6寸标准的前道无污染硅片， 通过三氯氧磷的液态源在高温900度左右下实现掺杂工艺
在900~1100度之间，通过通入三氯氧磷的方法在样品进行掺杂工艺
CMOS工艺中作为热扩散掺杂工艺，实现样品掺杂
前道炉管，禁止污染
严禁污染，禁止后道工艺样品进入
