CMOS级介质刻蚀清洗台运行
CMOS-grade Dielectric Etch Cleaning Station
型号: 定制
功能: 可以用于8~6寸以及4~3寸晶圆的介质刻蚀清洗, 槽体可以进行5片硅片清洗, 可以通过磷酸槽,SPM槽 以及DHF等溶液试剂进行介质湿法刻蚀清洗
工程师: 李老师 / (021) 34206126-6015
设备地点: 东区无机湿法Ⅲ区(金属严控)
设备编号: EIM3CDE01
  • 设备基本信息
  • 设备工作原理
主要用途

该设备主要用8~6寸以及4~3寸两种类型的的样品,配备2套不同尺寸类型的槽体(每槽单次最多5片),通过使用磷酸,SPM以及DHF等溶液用于样品的介质刻蚀清洗。

 

工艺/测试能力

可以最大处理5片8寸以下样品,设备的磷酸槽以及SPM槽体配备加热功能, 可自由设定试剂的加热温度。用于去除氮化硅,氧化硅等各种介质

 

技术指标
  1. 尺寸:~1800L×1200W×2000H mm (about) 
  2. 台面操作宽度1600*900mm,根据实际设计尽量缩小宽度,材质12mm新美乐PPW瓷白板。 
  3. 槽体尺寸:225L X 100W X 250H mm

通过槽体加热超声等功能,实现对试剂的加热和对样品的清洗工艺

需要使用有机清洗或者剥离槽时,预约此设备

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常见问题及解答
  • 01
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