| 型号： | Mill 200 |
|---|---|
| 功能： | 对金属、半导体、氧化物、高分子聚合物等进行高各向异性干法刻蚀。 |
| 工程师： | 付老师 / (021) 34206126-6010 |
| 设备地点： | 东区薄膜Ⅳ区 |
| 设备编号： | EFM4CRB01 |
刻蚀Cu、Ti、Cr、 SiO2、Si、 LiNbO₃ 等各种金属或介质材料，也可以用于刻蚀倾斜锯齿光栅等微纳结构的器件。
1.配有氮、氧、氩等常规气体，同时配有氟基、氯基共12路气体
2.工件台倾斜角可调范围0-170度
3.背氦冷温度0-80摄氏度，满足带光刻胶刻蚀
4.具备终点检测功能
1.满足8英寸及6、4、3英寸的硅片刻蚀能力
2.二氧化硅刻蚀速率大于20nm/min.
3.铜刻蚀速率大于15nm/min
样品传入工艺腔后，工件台调节到合适的角度，设定好背氦冷温度。然后通入氩气与反应其他的混合气体进入反应腔体内，放电电离。屏栅筛选出能量整齐的离子，经过加速栅能量加速后轰击待刻蚀样品的表面。刻蚀终点检测系统（OES）通过分析光谱的变化监控是否完成刻蚀。
工件台倾斜135度，屏栅+加速栅能量=1100eV刻蚀出的倾斜锯齿光栅，周期约600nm，深1um
1.样品不能是柔性衬底，以免在刻蚀过程中受热收缩形变。
2.样品在受热后不易碎裂，不接受导热差易碎的样品。
1.该设备工件台可以倾斜，当反应的生成物无法抽走，如铌酸锂，在刻蚀时可以掉落，不会附着在衬底上，影响刻蚀形貌.
2.该设备的离子束平行好，能量更高，在面对RIE刻蚀困难的材料面前更有优势.
3.该设备有OES，面对刻蚀多层膜，更专业
1.该设备的栅网达到360mm，可以满足8英寸样品刻蚀
2.该设备的离子束能量更均匀，离子束更平行.
3.该设备离子束能量调节范围大，可以减少刻蚀刻蚀损伤.
4该设备具备反应气体，可以刻蚀得更快。
