氮化硅片

氮化硅的强度很高,是世界上最坚硬的物质之一。它极耐高温,强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降,受热后不会熔成融体,一直到1900℃才会分解,并有惊人的耐化学腐蚀性能,能耐几乎所有的无机酸和30%以下的碱溶液,也能耐很多有机酸的腐蚀;同时又是一种高性能电绝缘材料,氮化硅薄膜广泛应用于微电子、光电子、高能物理等领域。

 

AEMD的氮化硅片是使用管式炉通过低压化学气相沉积(LPCVD) 方式沉积的氮化硅薄膜,加工的厚度范围从10纳米到500纳米,工艺温度高达700℃以上。相较于等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)以及溅射等方式沉积的氮化硅薄膜,LPCVD的氮化硅具备更加致密的薄膜特性,更耐腐蚀,薄膜硬度更好,掩膜性更好,更加广泛的应用于碱性溶液刻蚀硅材料的掩膜层。

 

AEMD的低压化学气相沉积炉管采用的是捷克卧式炉管,具备工艺稳定性高,薄膜均匀性好以及颗粒控制度优越等特点。氮化硅炉管每管可以加工50片,具有极好的片内和片间均匀性。

 

  

AEMD炉管设备图片

 

在半导体工业中,氮化硅层用作介电材料、钝化层或硬掩模。此外,在微观力学中也有一些应用。

应用举例
  • 作为KOH刻蚀的硬掩膜,
  • 在场氧化过程中定义活性区;
  • 用于膜、悬臂梁和其他与MEMS器件相关的机械结构;

  

AEMD氮化硅薄膜图片

AEMD氮化硅片工艺参数

(3寸和4寸P型硅片,其他尺寸基底可以定制)

 

类别 4寸氮化硅 3寸氮化硅
薄膜结构

拟合曲线

反射率曲线

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