关于AEMD平台Semilab SE-2000椭圆偏振光谱仪设备开放通告

尊敬的各位用户老师、同学：

    为了满足学校广大师生的科研需求，AEMD平台新购置的Semilab SE-2000椭圆偏振光谱仪设备（设备编号：WT1SELP01 ）已完成安装调试，即日起开放运行，各位用户老师、同学可在AEMD预约系统里预约使用，特此公告。

Semilab SE-2000椭圆偏振光谱仪设备介绍：

1. 设备提供紫外-可见-近红外（245 nm~1700 nm) 波长下的椭圆偏振光谱测试，可用于探测单层或多层薄膜的折射率（n）、消光系数（k）及厚度等信息。采用光学反射模式，测量过程无损、快捷。
2. 可用于半导体中的氧化硅薄膜、氮化硅、氮氧化硅、high-k介电材料（如HfO₂等）、low-k材料、光刻胶、SOI、SiGe、SiC、多晶硅及应变硅等薄膜的测量；平板显示器中的IGZO、电致变色层；铁电材料等测量；用于AlGaN、GaN、InP等光电器件化合物半导体材料；以及太阳能电池中的透明导电物薄膜、纳米材料；OLED或OTFT中的有机薄膜的测量。
3. 在超薄膜测量方面，可用于原子层沉积（ALD）生长的超薄介质膜测量，也可用于单层石墨烯等新型二维材料。
4. 同时，设备配备有非接触式涡流测量模块，可对样品提供无损、快速的（导电/半导体）薄层方块电阻测试。
5. 设备配有8英寸及以下兼容的自动样品台，可对样品进行快速的多点扫描，自动形成所测数据的三维分析图。

1. 样品尺寸：8英寸及以下；
2. 自动样品台；
3. 自动变角度测量；
4. 获得每层薄膜的n，k及厚度信息；
5. 非接触式涡流薄层方块电阻测量。

1. 薄膜厚度测试范围：0~3 μm；
2. 厚度准确性（10次测量）：≤±5Å（120 nm SiO₂/Si标样）;
3. 厚度重复性（10次测量）：≤2Å（120 nm SiO₂/Si标样）;
4. 折射率准确性（10次测量）：≤±009（120 nm SiO₂/Si标样）;
5. 折射率测试重复性（10次测量）：≤002（120 nm SiO₂/Si标样）;
6. 消光系数测试重复性（10次测量）：1sigma<2%（120 nm SiO₂/Si标样）;
7. 图形测试区域不小于200 μm;
8. 可见光部分探测波长范围：245 nm~990 nm；
9. 近红外部分探测波长范围：900 nm~1700 nm;
10. 自动变角的角度重复性≤01°；
11. 非接触涡流方块电阻测试范围：2 Ohm/sq-100 Ohm/sq。。

设备放置地点：西区离子注入二区

工艺工程师：姓名：瞿敏妮；邮箱：[email protected]；电话：021-34207734-8003

平台测试设备列表：https://aemd.sjtu.edu.cn/设备/设备分类/测试设备/

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二零一九年十一月十九日