| 型号： | SemDex M1 |
|---|---|
| 功能： | 晶圆测厚仪可无损测量整片晶圆厚度，获得Warp、Bow、TTV等形貌参数，用于工艺监控与质量控制。 |
| 工程师： | 瞿敏妮 / (021) 34207734-8003 / minni.qu@1 |
| 设备地点： | 东区测试III区 |
| 设备编号： | ETE3TSM01 |
主要用途
晶圆测厚仪主要用于半导体制造过程中对晶圆进行无损检测，能够精确测量整片晶圆的厚度，分析Warp（翘曲）、Bow（弯曲）、TTV（总厚度偏差）等关键形貌参数，为工艺监控、质量控制和良率提升提供重要数据支持。
工艺/测试能力
可放置12寸及以下任意尺寸晶圆包括碎片，全自动移动范围：≥450mm*305mm， 上探头厚度测量精度：＜±0.3μm，厚度重复测量精度：＜50nm@1sigma，warp 测量范围：≥4mm。
晶圆测厚仪采用红外干涉技术，其工作原理如下：
红外干涉技术利用红外光对硅材料的穿透特性，将一束宽谱红外光垂直照射到晶圆表面。红外光在晶圆上表面和下表面分别发生反射，两束反射光因光程差产生干涉信号。通过光谱仪采集干涉光谱，并经傅里叶变换解算出晶圆的光学厚度，再结合硅材料的折射率即可得到物理厚度。
由于红外光可穿透整个晶圆，该技术能同时对整片晶圆进行非接触、无损测量。通过二维扫描逐点获取厚度数据后，软件可拟合基准面并计算出Warp（翘曲）、Bow（弯曲）和TTV（总厚度偏差）等形貌参数，广泛用于半导体制造中的工艺监控与质量控制。
单抛4寸硅片厚度mapping图、Bow、Warp等测试结果
8寸硅片表面平整度测试结果
