| 型号： | ACT8 |
|---|---|
| 功能： | 在180 nm半导体工艺节点中全自动涂胶显影 |
| 工程师： | 徐老师 / (021) 34206126-6052 |
| 设备地点： | 东区光刻Ⅱ区(Canon) |
| 设备编号： | ELT2ACT01 |
支持4/6/8寸半导体标准晶圆的HMDS疏水性改性、光刻胶旋涂、软烘、PEB前烘、puddle静态显影、后烘等工艺处理；支持6/8寸与Canon DUV Stepper全自动涂胶曝光显影工艺。
膜厚均一性精度≤1%，晶圆面内显影后线宽均一性CDU 3σ≤10%，热板加热温度范围50℃~350℃。
1.提供涂胶前疏水性改性处理，使用HMDS（六甲基二硅氮烷）；
2.光刻胶旋涂及切边处理，膜厚可调，切边宽度可控；
3.软烘/PEB/硬烘处理，热板选择多样，温度可选范围50℃~350℃，精度高；
4.显影处理，使用静态puddle显影处理，SH nozzle及LD nozzle流量大但冲击力小，显影后使用DIW及高速旋转冲洗晶圆，保证晶圆表面干燥；
5.高速冷板降温，晶圆60s时间即可降温到23℃；
6.全自动处理，根据工艺需求可组合使用上述功能，亦可单一实现其中一个功能；
7.HMDS-涂胶-软烘-冷却：7min/pcs；
8.PEB-冷却-显影-硬烘-冷却：8min/pcs。
8寸半导体标准晶圆（4/6寸请联系相关工程师）。
切换不同晶圆尺寸需要2周时间，具体的设备状态请关注网站或AEMD平台公告。
resist pump仅支持安装低粘度光刻胶，不支持厚胶。
不支持。
不支持，仅支持4/6寸flat及8寸notch晶圆。
