半导体参数测试仪/探针台运行
MM Probe Station and Agilent B1500A Semiconductor Parameter Analyzer
型号: B1500A
功能: 二极管、三极管、MOS管等半导体器件以及材料的直流电流-电压(I-V)测量,脉冲IV,准静态和中频电容-电压(C-V)测量,时域测量等。
工程师: 瞿老师 / 34207734-8003
设备地点: 西区测试I区
设备编号: WT1MSPA01
  • 设备基本信息
  • 设备工作原理
  • 典型使用案例
主要用途

支持二极管、三极管、MOS管等半导体器件以及材料的直流电流-电压(I-V)测量,准静态和中频电容-电压(C-V)测量,时域测量等。

 

工艺/测试能力

加热台: 温度范围室温-400℃

 

技术指标
  • 探针台主机:卡盘XY运动范围200mm*200mm,Z轴运动范围25mm
  • 丝杆轴承确保高精度移动,分辨率3.5um
  • 针座:精度0.7um
  • 直流I-V测试: 具有4路SMU,其中2路中等功率SMU,2路高分辨率SMU, 可同时测量最小电压分辨率0.5μV、最小电流分辨率0.1fA
  • C-V测试:频率1KHz-5MHz;偏置电压:±25V;测量精度±0.2 %(@1pF, 1MHz)
  • (1)电压-电流测量(I-V 测量)SMU 模块可以同时作为电流源、电压源、电流表和电压表工作:施加电压(或电流)到器件的特定端口,同时测量另一端的电流(或电压)。测量数据用于绘制I-V特性曲线,例如MOS管的转移特性(Id-Vg)、输出特性(Id-Vd)。
  • (2)电容测量(C-V 测量)CVU 模块使用小信号交流测试方法,通过改变偏置电压测量器件的电容变化。这种方法常用于研究MOS器件的沟道形成、电荷陷阱和介质特性。
  • (3)脉冲测试 PGU 模块产生窄脉冲信号,测量器件的瞬态响应。这种方法可以减少直流测试中的电流迁移效应(如热效应或阱电荷效应)。

铜+石墨烯薄膜I-V测试曲线

样品尺寸:8英寸及以下;不接受会沾污电学探针的样品,如粘性样品等。

禁止在带电状态下触动任意电缆线;探针弯曲、沾污等情况需及时联系设备管理员。

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常见问题及解答
  • 01
    测试电流始终很小,在1 fA~1 pA量级,更换被测器件后仍然如此;

    异常原因: 测试回路未导通;处理方法:

    (1)电流更接近1 fA量级时,优先查看电缆线连接:电缆线连接与软件内SMU设置是否一致,如需改变电缆线连接,需先做断电处理,请联系工艺工程师提供帮助;

    (2)电流更接近1pA量级时,优先查看探针接触:在显微镜下观察探针与样品电极之间的接触是否紧密,如未接触紧密或位置偏移,需重新进行扎上探针;

    (3)查看器件性能:可能器件本身电阻很大无法导通,可用导电样品进行测试回路检测,请联系工艺工程师提供帮助。

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