| 型号： | CVP21 |
|---|---|
| 功能： | Si片表面掺杂浓度随深度分布测试，载流子浓度范围覆盖 10¹¹ cm⁻³ 至 10²¹ cm⁻³。 |
| 工程师： | 瞿老师 / 34207734-8003 |
| 设备地点： | 东区CMP区 |
| 设备编号： | ECMPECV01 |
电化学CV测量主要用于半导体材料的研究及开发。其原理是使用电化学电容-电压（C-V）法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。选用合适的电解液与材料接触、腐蚀，通过C-V扫描可准确地测量硅衬底表面的掺杂浓度分布，用于评估和控制在半导体生产中的掺杂过程。载流子浓度范围覆盖10¹¹ cm⁻³ 至 10²¹ cm⁻³。
可快速测量计算扩散层薄层电阻、结深和表面浓度，适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程。
最大样品尺寸：8英寸晶圆。最小样品尺寸需要覆盖密封圈面积同时接触两根探针，建议2cm×2cm以上。载流子浓度范围覆盖10¹¹ cm⁻³ 至 10²¹ cm⁻³。
ECV测试的原理基于电化学中的阳极氧化及电解原理，通过合适的电解液，既可以作为肖特基接触的电极测量C-V特性，又可以进行电化学腐蚀，因此能够层层剥离测量电激活杂质的浓度分布。
在Si校准晶片上测量的掺杂浓度分布图：
样品尺寸小于8英寸，该设备为有损测试：
1. 需要刮损样品表面两端的位置作为探针接触点，
2. 被测区域被腐蚀液腐蚀。
通常表示样品电阻过大。需要通过专用刀片进一步剐蹭接触位置的样品表面，或者使用更多的Ga-In合金，来增强探针与样品的接触。如果多次尝试后没有改善，可能是样品本身电阻过大，无法进行ECV测试。
