关于AEMD平台等离子体增强原子层沉积设备开放及初期优惠的通知

尊敬的各位用户老师、同学： 为了满足学校广大师生的科研需求，AEMD平台新购置的等离子体增强原子层沉积设备(设备编号：WF1BALD01)已完成设备安装及工艺调试，并已开放运行；平台决定在该设备运行初期（2019.04.23-2019.06.23），实行最新收费标准的八折。欢迎广大用户师生预约使用！ （预约系统当前显示的价格，即为该设备八折优惠后的价格；将于2019.06.24起恢复原价。）   等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）设备介绍： 主要用途： 具备热ALD和PE-ALD两种工作模式，即采用加热或等离子辅助增强模式，可沉积多种超薄、高保形性、高台阶覆盖能力的高质量介质薄膜，包括金属氧化物和金属氮化物，厚度可实现原子层级超薄厚度的控制（1 atom-layer/cycle）。该设备可沉积薄膜包括：氧化铝（Al₂O₃），氮化铝(AlN)，氧化硅(SiO₂)，氮化硅(Si₃N₄)，氧化铪(HfO₂)，氮化铪(Hf₃N₄)，氧化钛(TiO₂)，氧化钽(Ta₂O₅)，氮化钽(TaN_x)。 上述薄膜典型应用举例：高介电绝缘栅、钝化层、保护层、金属阻挡层（势垒层）等。   设备工作原理简介： 常规原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基片上自限制式化学吸附并在一定温度下反应而形成单原子层沉积膜的一种方法。不断重复这种自限制反应就形成所需要厚度的薄膜。在膜层的均匀性、保形性、阶梯覆盖率以及厚度控制等方面都具有明显的优势。等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）是对ALD技术的扩展，通过等离子体的引入，产生大量活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求，缩短了反应周期的时间，同时也降低了对样品沉积温度的要求，可以实现低温甚至常温沉积，特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。另外，等离子体的引入可以进一步的去除薄膜中的杂质，可以获得更低的电阻率和更高的薄膜致密度等。此外，等离子体还可以对反应腔室进行清洗以及对基片进行表面活化处理等。   工艺能力：

1. 可以加工的衬底尺寸：8 英寸、6英寸、4英寸、3英寸以及破片
2. 镀膜均匀性：8英寸衬底均匀性优于±1%（热法），±2%（等离子体增强法）
3. 工艺温度及温度控制精度：室温〜500°C，沉积温度控制精度±1°C，反应腔温度的控制精度在±2°C
4. 传送模式：自动Loadlock传送系统

  典型使用案例： ALD可实现绝缘栅介质（高介电常数）、钝化层介质、保护层介质、金属阻挡层介质等多种材料原位生长, 可实现高度保形性镀膜: (以上SEM照片均来源于ALD技术的近期公开发表的文献资料，作为本ALD设备的应用举例)   设备类别：薄膜沉积设备；设备编号：WF1BALD01；设备地点：西区薄膜I区。   工艺工程师： 姓名：乌李瑛；邮箱：[email protected]；电话：021-34207734-8020  

先进电子材料与器件校级平台

二零一九年四月二十三日