2025-07-22

尊敬的各位用户老师、同学:

        为了进一步满足广大师生的科研需求,AEMD平台新上线二、三期设备:二氟化氙(XeF2)刻蚀机(设备编号:EFM4XEF01)即日起,各位用户可通过AEMD实验室设备预约管理系统进行预约使用,特此公告。

 

二氟化氙(XeF2)刻蚀机(设备编号:EFM4XEF01)

功能:

XeF₂(二氟化氙)刻蚀硅是一种基于气相化学反应的干法刻蚀技术,具有高选择性、温和刻蚀条件,对金属及二氧化硅、氮化硅选择比高的特点。

 

主要用途:

主要用于硅的各向同性刻蚀。通过如下反应式可以有效实现硅牺牲层刻蚀。Si+2XeF2 →SiF4↑+2Xe↑。

 

工艺能力:

  • Undercut尺寸范围:

常规尺寸:2–20 μm

较长尺寸:20–200 μm

极限尺寸:>1.3 mm

  • 开口尺寸(Opening):

常规尺寸:0.25–10 μm

  • 薄膜释放(Thin Film Release)厚度范围:

极限释放膜厚:>10 nm

 

技术指标:

基片尺寸:4inch;以二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、铝(Al)、氧化铝(Al₂O₃)为屏蔽层时,具有高的刻蚀选择比>1000:1;以光刻胶作为屏蔽层时,刻蚀选择比>10:1。

 

典型使用案例:

反应为各向同性刻蚀(横向和纵向刻蚀速率相近),刻蚀轮廓呈圆弧状或半球形。

 

工艺工程师:张老师,(021) 34206126-6020

设备地点:东区薄膜Ⅲ区

 

设备详细介绍查看路径AEMD官网-平台设备-干法刻蚀设备

AEMD官网网址:https://aemd.sjtu.edu.cn/

AEMD实验室设备预约管理系统访问网址:https://aemd-lims.sjtu.edu.cn/

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先进电子材料与器件(AEMD)平台

2025年7月22日

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