尊敬的各位用户老师、同学：
为了进一步满足广大师生的科研需求，AEMD平台新上线二、三期设备：化学辅助反应离子束刻蚀系统（设备编号：EFM4CRB01）。即日起，各位用户可通过AEMD实验室设备预约管理系统进行预约使用，特此公告。
化学辅助反应离子束刻蚀系统（EFM4CRB01）
主要用途
刻蚀Cu、Ti、Cr、SiO2、Si、LiNbO₃ 等各种金属或介质材料，也可以用于刻蚀倾斜锯齿光栅等微纳结构的器件。
工艺能力
1.配有氮、氧、氩等常规气体，同时配有氟基、氯基共12路气体
2.工件台倾斜角可调范围0-170度
3.背氦冷温度0-80摄氏度，满足带光刻胶刻蚀
4.具备终点检测功能
技术指标
1.满足8英寸及6、4、3英寸的硅片刻蚀能力
2.二氧化硅刻蚀速率大于20nm/min.
3.铜刻蚀速率大于15nm/min
典型使用案例：
工件台倾斜135度，屏栅+加速栅能量=1100eV刻蚀出的倾斜锯齿光栅，周期约600nm，深1um。
设备详细介绍查看路径：AEMD官网-平台设备-干法刻蚀设备
AEMD官网网址：https://aemd.sjtu.edu.cn/
AEMD实验室设备预约管理系统访问网址：https://aemd-lims.sjtu.edu.cn/
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先进电子材料与器件（AEMD）平台
2025年7月16日
