尊敬的各位用户老师、同学：

        为了满足学校广大师生的科研需求，AEMD平台新购置的高真空多腔室Al(Sc)N反应溅射系统设备（设备编号：EFM4HVM01）已完成安装调试，即日起开放运行；平台决定在该设备运行初期，对部分工艺条件实行优惠推广价格（按标准收费的八折执行）。各位用户老师、同学可在AEMD预约系统里预约使用，特此公告。

高真空多腔室Al(Sc)N反应溅射系统介绍：

主要用途：

        该设备是一台高度集成的多腔室磁控溅射设备，专为研发和制备高性能的微电子/声学器件（如BAW滤波器、SAW器件、MEMS传感器等）而设计。共有4个工艺腔室，包含AlN薄膜溅射腔室、AlScN薄膜溅射腔室、金属Mo溅射腔室，以及对薄膜进行离子束精细磨平修整的腔室。设备的核心用途是制备以氮化铝（AlN） 和钪掺杂氮化铝（AlScN） 为关键功能材料的压电薄膜器件。因溅射沉积的薄膜表面可能不够平整，粗糙的表面会严重损害高频器件的性能（如增加损耗），离子束修平腔室可以将其磨得极其平整。

设备工作原理简介：

        设备的工作原理基于磁控溅射（Magnetron Sputtering） 和离子束蚀刻/抛光（Ion Beam Etching/Milling） 两大技术，并在一个共享的高真空传输腔室的协调下工作。

工艺能力：

1. 基底需是完整晶圆，尺寸为4、6、8寸；
2. 腔室真空度 5X10E-7 torr；
3. 经过修平后的8寸片厚度均匀性（1 sigma/mean）：
   1. 1u AlN均匀性 <0.1% ,
   2. 500nm AlSc(30%)N均匀性 <0.1%
   3. 300nm Mo均匀性 <0.7%；
4. 薄膜晶体结构高度有序，AlN和AlScN择优取向为（002）晶向，Mo择优取向为（100）晶向；
5. 经过修平后的晶体质量（需要在prime wafer上实现）：
   1. AlN XRD摇摆曲线FWHM <1.5度
   2. AlSc(30%)N XRD摇摆曲线FWHM<1.7度
   3. Mo XRD摇摆曲线FWHM<2度；
6. 薄膜应力-100Mpa与100Mpa之间，应力可调，按用户需求调整；
7. 特殊工艺可与工程师联系。

典型使用案例：

        以下测量数据是该设备安装调试完成后，实际加工的8寸片在AEMD平台测试的结果：

        设备名称：高真空多腔室Al(Sc)N反应溅射系统；

        设备编号：EFM4HVM01；

        工艺工程师：乌老师；邮箱：[email protected] 电话：(021)34206126-6028

        设备地点：东区薄膜Ⅳ区

        设备详细介绍查看路径：AEMD官网-平台设备-薄膜沉积设备

         AEMD官网网址：https://aemd.sjtu.edu.cn/

        AEMD实验室设备预约管理系统访问网址：https://aemd-lims.sjtu.edu.cn/

        感谢您对AEMD平台的关注！

        设备照片：

先进电子材料与器件（AEMD）平台

2025年 9月28  日