图1 主动反射,共聚焦自动聚焦系统光路
工艺能力: 对于标准样品,平面测量精度≤3μm+2%*L,L为测量长度; 对于标准样品,Z轴测量精度≤5μm+3%*L,L为测量长度; 技术指标: 对于标准样品,平面测量精度≤3μm+2%*L,L为测量长度;验收标准L=100mm,L=1mm量测结果L=99.9988mm,L=0.9991mm; 对于标准样品,Z轴测量精度≤5μm+3%*L,L为测量长度;验收标准 L=1.38mm量测结果 L=1.3806mm; 对于开口宽度为40μm、深度超过120μm(深宽比>3)的深硅刻蚀槽样品,深度测量误差≤5μm;验收标准H=131.7nm(by SEM)量测结果H=0.1297mm; 典型使用案例: 1.对于开口宽度为40μm、深度超过120μm(深宽比>3)的深硅刻蚀槽样品,深度测量误差≤5μm;验收标准H=131.7nm(by SEM)量测结果H=0.1297mm;
2.对于标准样品,Z轴测量精度≤5μm+3%*L,L为测量长度;验收标准 L=1.38mm量测结果 L=1.3805mm;
3.对于标准样品,平面测量精度≤3μm+2%*L,L为测量长度;验收标准L=100mm,L=1mm量测结果L=99.9988mm,L=0.9991mm;
设备照片:
设备类别:测试设备
设备编号:WF1STMO01
设备地点:西区薄膜一区
工艺工程师:沈赟靓;邮箱:[email protected];电话:021-34207734-8010
测试设备列表:https://aemd.sjtu.edu.cn/设备/设备分类/测试设备/
上海交通大学先进电子材料与器件平台
2021年10月22日