尊敬的各位用户老师、同学：
为了进一步满足广大师生的科研需求，AEMD平台新上线二、三期设备：快速真空热处理系统（设备编号：EEI0RTP01）。即日起正式开放运行，各位用户可通过AEMD预约系统进行设备预约，特此公告。
快速真空热处理系统设备介绍：
主要用途：
RTP-761SA为处理 8 寸晶圆的快速热处理系统，以红外线卤素灯管为热源，分由上、下、左、右同步辐射加热制品从而达到均匀的热处理制程,在真空条件下通入PN2,O,H2等工艺气体后可完成如离子注入后退火,修复损伤,特殊材料的应力释放等工艺。可以加工不含金属,有机物,光刻胶的8英寸及以下尺寸硅片。
设备工作原理简介：
通过高强度的辐射加热与精准的温度控制，在极短时间内（秒至分钟级）完成对晶圆的热处理。
工艺能力：
工作温度:300-1250℃;
工艺温度均匀性：
600℃以上，+/-0.5%；600℃以下，+/-3℃;
温度重复性：+/-1℃;
升温速率： 30℃/s
技术指标：
RTO:100Å：100Å+/-5Å，重复性＜3%，离散度<5%;
RTP:控温精度：<2℃,温度均匀性+/-1%,重复性<1%;
典型使用案例:
离子注入后退火：修复晶格损伤并激活掺杂剂（如As、B）。
氧化/氮化：快速生长超薄介电层（如SiO₂、Si₃N₄）。
应力释放：消除薄膜沉积或刻蚀后的机械应力。
设备照片：
设备类别：热加工设备
设备编号： EEI0RTP01
设备地点：东区外延/离子注入区
工艺工程师:李老师；邮箱： [email protected]；电话： 021-34206126-6012
设备详细介绍查看链接： 快速真空热处理系统
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2025年4月18日
