尊敬的各位用户：

为进一步提升平台服务能力，完善薄膜平坦化制备工艺，AEMD东区高真空多腔室Al(Sc)N反应溅射系统（设备编号：EFM4HVM01）已新增SiO₂（二氧化硅）薄膜修平工艺，现正式开放预约。新增工艺的具体情况如下：

1. 新增工艺简介

SiO₂薄膜是半导体和MEMS器件制造中极为关键的介质材料，广泛应用于绝缘层、掩蔽层、牺牲层及光学薄膜。本次新增的工艺基于该设备集成的离子束修平（Ion Beam Trimming）模块，可在沉积SiO₂薄膜后，对表面进行平坦化处理，显著改善大面积薄膜的厚度均匀性与表面粗糙度，尤其适用于对介质层平坦度有严苛要求的先进工艺开发。

2. 工艺特点

高平坦度：针对SiO₂薄膜进行全局修平，8英寸晶圆上SiO₂薄膜的均匀性（1sigma/mean）可优于1%。

精确可控：本工艺适用于已知膜厚的无图形平片：修平厚度可控性强，去除精度达亚纳米级，可有效避免过度磨削。

兼容性强：可兼容4英寸、6英寸、8英寸完整晶圆。

3. 应用领域

（1）高精度光学薄膜平坦化

（2）微机电系统（MEMS）牺牲层平坦化

（3）高频声波器件（SAW/BAW）介质层修整

（4）三维异质集成中的介质平坦化

4. 设备信息及前处理要求

设备名称：高真空多腔室Al(Sc)N反应溅射系统

设备编号：EFM4HVM01

设备位置：东区薄膜Ⅳ区

预约流程及前处理要求：用户可通过AEMD平台预约系统进行工艺预约申请，用户在AEMD平台预约系统申请工艺时，需提前完成以下数据准备步骤：使用膜厚测量仪（F50或F54）测量SiO2厚度，且必须导出其原始数据值。该数据将作为“前值”，被导入至高真空多腔室Al(Sc)N反应溅射系统中。

5. 使用须知

用户在预约该工艺时，请明确所需修平的目标厚度及相关工艺要求，并确保所提交信息与实际样品情况一致。

6. 技术支持

如有技术问题或工艺咨询，请联系工艺工程师：乌老师；电话：021-34206126-6028；邮箱：[email protected]

设备详细介绍查看链接：AEMD官网-平台设备-微纳加工-薄膜沉积-高真空多腔室Al(Sc)N反应溅射系统

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2026年4月21日