尊敬的各位用户：
为进一步提升AEMD平台的服务能力，满足用户对高性能光学及电子薄膜材料的需求，东区等离子辅助原子层沉积系统（金属）（设备编号：EFM4ALD01）现新增Nb₂O₅（五氧化二铌）薄膜的沉积工艺。新增工艺的具体情况如下：
Nb₂O₅是一种具有高折射率、宽带隙、低光学吸收和良好化学稳定性的功能薄膜材料，广泛应用于光学镀膜、微电子器件、传感器及电致变色器件等领域。此次新增的Nb₂O₅沉积工艺基于等离子辅助原子层沉积技术，可在较低温度下实现高致密性、高均匀性、纳米级精度的薄膜沉积，满足用户在复杂结构衬底上的制备需求。
高均匀性：可在深沟槽、三维结构等复杂表面实现均匀成膜。
精确控制：薄膜厚度可精确控制在亚纳米至纳米级别。
低缺陷率：薄膜致密，针孔缺陷少，适用于高性能光学及电子器件。
兼容性强：适用于硅、玻璃、石英、金属、ITO等多种衬底材料。
用于光学镀膜材料、及电子元器件关键材料的制备。
设备名称：等离子辅助原子层沉积系统（金属）（设备编号：EFM4ALD01）
设备位置：东区薄膜Ⅳ区
操作方式：用户可通过AEMD平台预约系统进行工艺预约申请。
用户预约Nb₂O₅工艺时，请明确所需膜厚、衬底类型及数量。如有特殊沉积条件（如温度、前驱体脉冲时间等），请提前与平台技术人员沟通。请遵守平台相关设备操作规范及安全规定。
如有任何技术问题或工艺咨询，请联系工艺工程师：乌老师；电话：021-34206126-6028；邮箱：[email protected]
设备详细介绍查看路径： AEMD官网-平台设备-微纳加工-薄膜沉积-等离子辅助原子层沉积系统（金属）
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先进电子材料与器件（AEMD）平台
2026年4月9日
