尊敬的各位用户：
为进一步提升AEMD平台的服务能力，满足用户对高性能薄膜材料的需求，东区新设备等离子辅助原子层沉积系统（设备编号：EFM4ALD01）现新增导电TaN（氮化钽）薄膜的沉积工艺。新增工艺的具体情况如下：
TaN是一种广泛应用于半导体制造、集成电路、阻变存储器（RRAM）及金属栅极等领域的高性能材料，具有优异的导电性、热稳定性和抗腐蚀性。此次新增的导电TaN 沉积工艺基于等离子辅助原子层沉积技术，能够实现低电阻率、高均匀性、高精度和低缺陷的薄膜沉积，满足用户对高质量薄膜材料的需求。
高均匀性：可在复杂三维结构表面实现均匀薄膜沉积。
精确控制：薄膜厚度可精确控制在纳米级别。
低缺陷率：薄膜致密，缺陷率低，适用于高性能器件制造。
兼容性强：支持多种衬底材料，包括硅、玻璃、金属等。
半导体器件（如金属栅极、互连层、铜扩散阻挡层）
阻变存储器（RRAM）
抗腐蚀涂层
光学薄膜
设备名称：等离子辅助原子层沉积系统（金属）（设备编号：EFM4ALD01）
设备位置：东区薄膜Ⅳ区
操作方式：用户可通过AEMD平台预约系统进行工艺预约申请。
请用户预约TaN工艺时，根据需要选择“导电TaN”或“绝缘TaN”沉积工艺。
用户需提供详细的工艺参数需求（如薄膜厚度、衬底类型等）。
如有特殊需求，请提前与平台技术人员沟通。
如有任何技术问题或工艺咨询，请联系:
工艺工程师：乌老师
电话：021-34206126-6028
设备详细介绍查看链接： AEMD官网-平台设备-薄膜沉积设备/等离子辅助原子层沉积系统（金属）
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先进电子材料与器件（AEMD）平台
2025年4月24日
