2026-05-12

尊敬的各位用户老师、同学:

 

为进一步提升平台服务能力,完善金属薄膜沉积工艺,AEMD东区等离子辅助原子层沉积系统(金属)(设备编号:EFM4ALD01)已新增NbN薄膜沉积工艺,现正式开放预约。新增工艺的具体情况如下:

1. 新增工艺简介

NbN(氮化铌)薄膜是半导体先进互连、电极及MEMS器件制造中关键的导电材料,具有良好的导电性能、高硬度、优异的扩散阻挡特性及良好的化学稳定性。本次新增的工艺可沉积连续、保形的氮化铌薄膜,尤其适用于TSV、沟槽结构及对薄膜均匀性有严苛要求的先进工艺开发。

2. 工艺能力

  • 支持8寸及以下整片和碎片
  • 可与其他导电薄膜(如TiNTaN)组合实现多层结构
  • 可实现沟槽结构的保型沉积
  • 电阻率约190µ·cm

3. 应用领域

  • 铜互连扩散阻挡层
  • 微机电系统(MEMS)中的电极及功能层

4. 设备信息

设备名称:等离子辅助原子层沉积系统(金属)

设备编号:EFM4ALD01

设备位置:东区薄膜Ⅳ区

预约流程:用户可通过AEMD平台预约系统进行工艺预约申请。用户在预约NbN工艺前,请提前与工程师沟通基底可以承受的温度。

 5. 使用须知

用户在预约该工艺时,请明确所需修平的目标厚度及相关工艺要求,并确保所提交信息与实际样品情况一致。

 

如有技术问题或工艺咨询,请联系工艺工程师:乌老师;电话:021-34206126-6028;邮箱:[email protected]

设备详细介绍查看链接:AEMD官网—平台设备—微纳加工—薄膜沉积—等离子辅助原子层沉积系统(金属)

AEMD官网网址:https://aemd.sjtu.edu.cn/

AEMD实验室设备预约管理系统访问网址:https://aemd-lims.sjtu.edu.cn/

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2026年5月12日

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