尊敬的各位用户：

为进一步提升平台服务能力，完善金属薄膜沉积工艺，AEMD东区等离子辅助原子层沉积系统（金属）（设备编号：EFM4ALD01）已新增Ru（钌）薄膜沉积工艺，现正式开放预约。开放初期，Ru薄膜沉积工艺享7折优惠，欢迎各位用户预约使用。新增工艺的具体情况如下：

1. 新增工艺简介

Ru（钌）薄膜是半导体先进互连、电极及MEMS器件制造中关键的金属材料，具有优异的功函数可调性、高抗氧化性及良好的导电性。本次新增的工艺可沉积连续、保形的钌金属薄膜，尤其适用于TSV、沟槽结构及对薄膜均匀性有严苛要求的先进工艺开发。

2. 工艺能力

50. 支持8寸及以下整片和碎片
50. 可与其他导电薄膜（如TiN、TaN）组合实现多层结构
50. 可实现沟槽结构的保型沉积

3. 应用领域

1. 先进CMOS器件中的金属栅极电极
2. 动态随机存取存储器（DRAM）及电容电极
3. 铜互连扩散阻挡层
4. 微机电系统（MEMS）中的电极及功能层

4. 设备信息

设备名称：等离子辅助原子层沉积系统（金属）

设备编号：EFM4ALD01

设备位置：东区薄膜Ⅳ区

预约流程：用户可通过AEMD平台预约系统进行工艺预约申请。用户在预约Ru工艺前，建议确认待沉积样品的表面清洁度及对工艺温度（最高350℃-400℃）的耐受性。如需多层膜结构或特殊形貌沉积，请提前与工程师沟通。

 5. 使用须知

用户在预约该工艺时，请明确所需修平的目标厚度及相关工艺要求，并确保所提交信息与实际样品情况一致。

6. 技术支持

如有技术问题或工艺咨询，请联系工艺工程师：乌老师；电话：021-34206126-6028；邮箱：[email protected]

设备详细介绍查看链接：https://aemd.sjtu.edu.cn/platform/741.html

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2026年4月29日